JEOL日本电子宣布开发其新型低角度离子铣削扫描电子显微镜HAXIS

JEOL日本电子宣布开发其新型低角度离子铣削扫描电子显微镜HAXIS，并将于2026年10月5日开始销售。

发展背景

随着先进半导体器件结构不断缩小和复杂化，使用纳米机械臂接触和测量微尺度电路变得困难。此外，探测引起的接触可能影响分析目标，因此需要新的失效分析方法。
JEOL长期研究被动电压对比（PVC）检测技术，并通过探测器和样品制备技术的进步，建立了稳定且高度可重复的PVC观测技术方法。

HAXIS是JEOL推出的新型半导体故障分析平台，结合了这些技术。

即使在先进半导体下，它也实现了清晰且高度复现的PVC观测。通过目视检测电气异常，同时最大限度地减少工艺损伤和污染的影响，可以高效识别缺陷位置并确定原因。使用氩气（Ar）这种惰性气体，确保表面质量稳定并降低运行成本。
PVC观测质量显著受脱层后样品表面状况影响。HAXIS采用一种独特的低角度离子铣削（LIM）脱层技术，利用氬离子束创造平整表面，同时对样品表面的损伤最小。这使得PVC观测能够清晰且高度重复，同时即使在先进设备中也能保留结构和潜在信息。
半导体失效分析包含多个步骤，从缺陷定位到物理分析及根本原因调查。随着设备复杂度的增加，缩短从故障检测到可操作结果的周转时间变得越来越关键。
HAXIS通过将LIM脱层与SEM成像和被动电压对比（PVC）分析相结合，引入了一种新的失效定位方法。这种结合的工作流程使故障位置能够快速且高度准确地识别，支持QTAT（快速周转时间）故障分析，加速从电气故障检测向物理分析和根本原因识别的过渡。

主要特色

• 透明PVC成像

• 成本效益高的 Ar 处理

• 使用LIM实现无损脱层

• 层层LIM / PVC分析

• 无污染转移